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产品分类
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IRG4PH40KPBF**原装
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG4PH40KPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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IRFP4227PBF**原装
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP4227PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道
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FQP6N40C 美国*童公司现货库存，*十！
品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:FQP6N40C 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:AM/调幅 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:400（V） 夹断电压:400（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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HCPL0601 *童光耦 *，现货库存
封装外形:CHIP/小型片状 型号/规格:HCPL0601 材料:N-FET硅N沟道 用途:AM/调幅 品牌/商标:FAIRCHILD/*童 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型
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MDF8N60C 现货库存,*童*十
品牌/商标:美格纳 型号/规格:MDF8N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）
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FJA13009TU 现货库存*童原产
品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:FJA13009TU 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）